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RTP E-O Q-Switch
• Large bande passante optique (0,35-4,5 μm)
• Faible perte d’insertion
• Basse tension demi-onde
• Basse tension de fonctionnement
• Taux d’extinction élevé
• Seuil de dommages laser très élevé
• Pas d’effet de sonnerie piézoélectrique
• Commutation précise dans un laser à haut débit répétitif avec des pilotes de tension ultra-rapides
• Conception à compensation thermique pour fonctionner dans une large plage de températures
• Conception compacte , très facile à monter et à ajuster
• Cristal RTP de qualité avec une résistance environnementale élevée et une longue durée de vie
RTP (Rubidium Titanyl Phosphate - RbTiOPO 4 ) est un matériau cristallin robuste adapté à une large gamme d'applications EO. Il présente les avantages d'un seuil de dommage plus élevé (environ 1,8 fois celui du KTP), d'une résistivité élevée, d'un taux de répétition élevé, d'aucun effet hygroscopique ou piézoélectrique. Le RTP présente une bonne transparence optique d'environ 400 nm à plus de 4 µm et, ce qui est très important pour le fonctionnement du laser intra-cavité, offre une résistance élevée aux dommages optiques avec une gestion de la puissance d'environ 1 GW/cm 2 pour des impulsions de 1 ns à 1064 nm.
Les Q-switch EO (Pockels Cells) sont basés sur deux cristaux RTP dans une conception à compensation de température
qui permet l'utilisation de ces appareils dans une large plage de température allant de -60 °C à +70 °C.
Les cellules RTP Pockels sont largement utilisées dans la télémétrie laser, le lidar laser, les lasers médicaux et les lasers industriels, etc.
WISOPTIC fournit une consultation technique, une conception optimisée, un échantillon de test personnalisé et des produits standard à livraison rapide de cellules RTP Pockels pour une commutation Q et une sélection d'impulsions à taux de répétition élevé.
Applications des appareils RTP EO :
Q-commutateur
Modulateur de phase
Modulateur d'amplitude
Sélecteur d'impulsions
Tombereau à cavité
Obturateur
Atténuateur
Déflecteur
Cristal Size |
4x4x10 mm |
6x6x10 mm |
8x8x10 mm |
Quantité de cristaux |
2 |
2 |
2 |
Tension statique demi-onde @ 1064 nm |
Coupe X: 1700 V Coupe en Y: 1400 V |
Coupe X: 2500 V Coupe en Y: 2100 V |
Coupe X: 3300 V Coupe en Y : 2750 V |
Taux d’extinction |
X-cut: > 25 dB Coupe en Y : > 23 dB |
Coupe X : > 23 dB Coupe en Y : > 21 dB |
Coupe X : > 21 dB Coupe en Y : > 20 dB |
Capacité |
5 ~ 6 pF |
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Transmission optique |
> 99 % |
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Seuil de dommages |
> 600 MW/cm2 pour des impulsions de 10 ns à 1064 nm (revêtement AR) |
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