LN Pockels Cellule

Caractéristiques des cellules LiNbO3 Pockels de WISOPTIC:

Différentes tailles de composants finis pour différentes applications, aussi petites que 1,0x1,0 x 40 mm disponibles
Cristal LiNbO3 de haute qualité développé en interne
LiNbO3 dopé au MgO disponible pour les systèmes haute puissance
Contrôle de qualité strict
Prix très compétitif et gros rabais OEM
Support technique gratuit toujours
Livraison rapide - directement depuis notre usine via UPS, DHL ou FedEx

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Détails du produit

Le cristal LiNbO 3 est un matériau photoélectrique à faible coût avec de bonnes propriétés mécaniques et physiques ainsi qu'une grande homogénéité optique. Il a été largement utilisé comme doubleurs de fréquence pour les longueurs d'onde> 1 mm et les oscillateurs paramétriques optiques (OPO) pompés à 1064 nm ainsi que les dispositifs quasi-accordés en phase (QPM). Avec des coefficients EO préférables, le cristal LiNbO3 est devenu le matériau le plus couramment utilisé pour les commutateurs Q et les modulateurs de phase, le substrat de guide d'ondes et les tranches d'ondes acoustiques de surface (SAW), etc. Comparé au LiNbO3, le cristal MgO: LiNbO3 présente un seuil de dommage plus élevé.

Les cellules LiNBO 3 Pockels adressent des longueurs d'onde allant de 1,064 μm à l'infrarouge jusqu'à 4,0 μm. Ils fonctionnent à des tensions inférieures à celles des cellules KD*P comparables, bien que les tensions augmentent aux longueurs d'onde plus longues. La sonnerie induite piézoélectriquement est un facteur important dans les cristaux de LiNbO 3 , par conséquent, le taux de répétition maximal recommandé pour les cellules de Pockels LiNbO 3 est d'environ 1 kHz.


Spécifications standard WISOPTIC - LiNbO3 Pockels Cell

Taille

(2×2 ~ 9×9) ×25 mm

Tolérance de dimension

± 0,1 mm

Tolérance d’angle

± 0,5°

Platitude

< l/8 à 632,8 nm

Qualité de surface

< 20/10 [S/D]

Parallélisme

< 20 »

Perpendicularité

≤ 5'

Chanfrein

≤ 0,2 mm à 45°

Distorsion du front d’onde transmis

< l/4 à 632,8 nm

Capacité

20 pF

Électrodes

Or

l/4 Tension

~1,5 kV (@ 1064 nm)

Taux d’extinction dynamique

20 dB (@ 1064 nm)

Ouverture claire

8,5 mm (> 90 % de la zone centrale)

Revêtement

Revêtement AR: R < 0,2% @ 1064 nm, R < 0,5% @ 532 nm

Seuil de dommages laser

Dans

100 MW/cm2 à 10ns, 10Hz, 1064nm

MgO : LN

150 MW/cm2 @ 10ns, 10Hz, 1064nm


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