KTP E-O Q-Switch

Non hygroscopique

Excellente uniformité optique

Large bande passante optique de 500-2800nm

Faibles pertes d'absorption à une longueur d'onde de 1 064 nm (< 250 ppm/cm à 1 064 nm)

Taux d'extinction élevé (> 25 dB à 633 nm)

Basse tension demi-onde pour les applications électro-optiques

Sonnerie piézoélectrique minimale compatible pour 1 MHz

Temps de montée inférieur à 1 ns pour une commutation précise dans un laser à taux de répétition élevé

Seuil élevé de dommages induits par laser (> 600MW/cm 2 à 10 Hz, 10 ns à 1064 nm)

Conception à haute résistivité et à compensation thermique pour fonctionner sur une large plage de températures (-50 à +70 ℃)


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Détails du produit

Le cristal KTP HGTR (High Gray Track Resistance) développé par méthode hydrothermique surmonte le phénomène commun d'électrochromisme du KTP développé par flux, présente ainsi de nombreux avantages tels qu'une résistivité électrique élevée, une faible perte d'insertion, une faible tension demi-onde, un seuil de dommage laser élevé , et large bande de transmission. HGTR-KTP a de nombreuses applications électro-optiques telles que  Commutation Q pour les lasers à taux de répétition élevé.

Cristaux HGTR-KTP pour les applications EO

  • Faible perte d'insertion, faible tension quart d'onde

  • Taux de répétition élevé

  • Large bande passante optique

  • Seuil de dommage élevé

  • Pas de sonnerie piézo-électrique

  • Application : commutateurs Q, sélection d'impulsions et modulateur EO


Tailles d'une des paires de KTP

(mm)

Coupe en X

Coupe en Y

Résistivité électrique

(Ohm · cm)

HWV @ 1064nm

(V)

Taux d'extinction

@ 633nm (dB)

HWV @ 1064nm

(V)

Taux d'extinction

@ 633nm (dB)

3 × 3 × 10

1200

> 25

1000

> 20

> 10 11

4 × 4 × 10

1600

> 25

1300

> 20

> 10 11

5 × 5 × 10

2000

> 25

1600

> 20

> 10 11

6 × 6 × 10

2300

> 25

1900

> 20

> 10 11

7 × 7 × 10

2700

> 25

2200

> 20

> 10 11

8 × 8 × 10

3100

> 25

2500

> 20

> 10 11

9 × 9 × 10

3500

> 25

2800

> 20

> 10 11

Seuil de dégâts :   > 600   MW /cm 2  pour des impulsions de 10 ns à 1064 nm (revêtement AR)


KTP E-O Q-Switch.jpg


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