Cristal RTP

Haute homogénéité
Excellente qualité interne
Haute résistivité électrique
Qualité supérieure de polissage de surface
Correspondance précise des paires
Prix compétitif
Production de masse, livraison rapide


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Détails du produit

RTP (RbTiOPO4) est un isomorphe du cristal KTP. Le RTP présente de nombreux avantages, par exemple un grand coefficient optique non linéaire, un grand coefficient E-O , un seuil de dommage élevé (environ 1,8 fois de KTP), une résistivité élevée, un taux de répétition élevé, aucune hygroscopie et aucun effet piézo-électrique induit avec des signaux électriques jusqu’à 60 kHz. La plage de transmission de RTP est de 350 nm à 4500 nm.

Le cristal RTP est largement utilisé dans le système de commutation Q laser avec une répétition à haute fréquence, une puissance élevée et une largeur d’impulsion étroite. Les dispositifs RTP E-O ne sont pas seulement utilisés dans le micro-usinage laser et la télémétrie laser, mais aussi dans les grands projets d’exploration scientifique en raison de leurs excellentes performances globales.


RTP Crystal


Spécifications standard WISOPTIC - RTP


Tolérance de dimension

± 0,1 mm

Tolérance d’angle

< ± 0,25°

Platitude

< l/8 à 632,8 nm

Qualité de surface

< 10/5 [S/D]

Parallélisme

< 20 »

Perpendicularité

≤ 5'

Chanfrein

≤ 0,2 mm à 45°

Distorsion du front d’onde transmis

< l/8 à 632,8 nm

Ouverture claire

> 90% zone centrale

Revêtement

Revêtement AR: R<0.1% @ 1064nm

Seuil de dommages laser

600 MW/cm2 pour 1064nm, 10ns, 10Hz (enduit AR)

Caractéristiques principales - RTP


Large plage de transparence (350nm-4500nm)
Homogénéité fiable
Non hygroscopique
Seuil de dommages élevé induit par le laser
Faibles pertes d’absorption
Stabilité sur une large plage de température (-50°C ~+70°C)


RTP Crystal


Applications principales - RTP


Deuxième génération harmonique (SHG)
Modulateurs E-O, commutateurs optiques, coupleurs directionnels
Sources paramétriques optiques (OPG, OPA, OPO) pour une sortie accordable de 0,4 à 4,5 μm


Propriétés asic - RTP


Structure cristalline 

   Orthorhombic

  Paramètre de réseau 

a = 12,96 Å, b = 10,56 Å, c = 6,49 Å

  Point de fusion 

environ 1000 °C

  Dureté mohs 

environ 5 Mohs

  Densité

3,6 g/cm3

  Coefficients de dilatation thermique 

αx = 1,01 × 10-5 /K, αy = 1,37 × 10-5 /K, αz = - 4,17 × 10-6 /K

  Équations de Sellmeier (λ en μm)

nx2 = 2,15559 + 0,93307 [1 - (0,20994 / λ)2] - 0,01452 λ2

ny2 = 2,38494 + 0,73603 [1 - (0,23891 / λ)2] - 0,01583 λ2

nz2 = 2,27723 + 1,11030 [1 - (0,23454 / λ)2] - 0,01995 λ2

  Coefficient therm-optique 

dλ/dT = - 0,029 nm /°C

  Constantes électro-optiques 

  (Coupe en Y)

  (Coupe X)

 r33 = 38,5 pm/V

r33 = 35 pm/V, r23 = 12,5 pm/V, r13 = 10,6 pm/V

  Résistivité électrique 

environ 10 11-1012 Ohm·cm

  Tension statique demi-onde  à 1064 nm

4 × 4 × 20 mm : 1 600 V          

6 × 6 × 20 mm : 2 400 V    

9 × 9 × 20 mm : 3 600 V    

  Taux d’extinction 

 > 20 dB à 633 nm

 

 


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